PMPB13XNE,115

MOSFET N-CH 30V 8A 6DFN
PMPB13XNE,115 P1
PMPB13XNE,115 P1
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Nexperia USA Inc. ~ PMPB13XNE,115

Artikelnummer
PMPB13XNE,115
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 8A 6DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer PMPB13XNE,115
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 8A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2195pF @ 15V
Vgs (Max) ±12V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 8A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-DFN2020MD (2x2)
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad

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