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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | PHN203,518 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6.3A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14.6nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 20V |
| Leistung max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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PHN203,518 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 6.3A SOT96-1 | 0 | Einzelheiten | |
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PHN210,118 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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PHN210T,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC | 2500 | Einzelheiten |