PDTD143XQAZ

TRANS PREBIAS NPN 3DFN
PDTD143XQAZ P1
PDTD143XQAZ P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Nexperia USA Inc. ~ PDTD143XQAZ

Artikelnummer
PDTD143XQAZ
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 3DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
PDTD143XQAZ.pdf PDTD143XQAZ PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer PDTD143XQAZ
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 4.7k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 210MHz
Leistung max 325mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 3-XDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket DFN1010D-3

Verwandte Produkte

Alle Produkte