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Nexperia USA Inc. ~ PDTC143EQAZ

Artikelnummer	PDTC143EQAZ
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm)	4.7k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm)	4.7k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	150mV @ 500µA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	1µA
Frequenz - Übergang	230MHz
Leistung max	280mW
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	3-XDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket	DFN1010D-3

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
PDTC114EE,115	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75		0	Einzelheiten
PDTC114EK,115	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3		0	Einzelheiten
PDTC114EK,135	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3		0	Einzelheiten
PDTC114EM,315	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883		0	Einzelheiten
PDTC114EMB,315	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN		0	Einzelheiten
PDTC114EQAZ	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 3DFN		0	Einzelheiten
PDTC114ES,126	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3		0	Einzelheiten
PDTC114ET,215	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB		51000	Einzelheiten
PDTC114ET,235	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB		10000	Einzelheiten
PDTC114ET/DG/B2,21	Nexperia USA Inc.	TRANS RET TO-236AB	-	26333	Einzelheiten
PDTC114EU,115	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323		27000	Einzelheiten
PDTC114EU,135	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323		0	Einzelheiten