PDTB123EQAZ

TRANS PREBIAS PNP 3DFN
PDTB123EQAZ P1
PDTB123EQAZ P1
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Nexperia USA Inc. ~ PDTB123EQAZ

Artikelnummer
PDTB123EQAZ
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
PDTB123EQAZ.pdf PDTB123EQAZ PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
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Produktparameter

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Artikelnummer PDTB123EQAZ
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 2.2k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 2.2k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 150MHz
Leistung max 325mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 3-XDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket DFN1010D-3

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