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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | LN60A01EP-LF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 3 N-Channel, Common Gate |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 80mA |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 190 Ohm @ 10mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | 1.3W |
| Betriebstemperatur | -20°C ~ 125°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Lieferantengerätepaket | 8-PDIP |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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LN60A01EP-LF | Monolithic Power Systems Inc. | MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP | - | 0 | Einzelheiten |
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LN60A01ES-LF | Monolithic Power Systems Inc. | MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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LN60A01ES-LF-Z | Monolithic Power Systems Inc. | MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC | - | 0 | Einzelheiten |