MS1007

TRANS RF BIPO 233W 10A M174
MS1007 P1
MS1007 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ MS1007

Artikelnummer
MS1007
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
TRANS RF BIPO 233W 10A M174
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- MS1007 PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer MS1007
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 55V
Frequenz - Übergang 30MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) -
Gewinnen 14dB
Leistung max 233W
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 18 @ 1.4A, 6V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 10A
Betriebstemperatur 200°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall M174
Lieferantengerätepaket M174

Verwandte Produkte

Alle Produkte