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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | JAN2N1893 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 80V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 5V @ 15mA, 150mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
| Leistung max | 800mW |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-5 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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JAN1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Einzelheiten |
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JAN1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | Einzelheiten |
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JAN1N1186R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | Einzelheiten |
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JAN1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 | - | 1 | Einzelheiten |
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JAN1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Einzelheiten |
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JAN1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Einzelheiten |
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JAN1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Einzelheiten |
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JAN1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Einzelheiten |
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JAN1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Einzelheiten |
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JAN1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | Einzelheiten |
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JAN1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | Einzelheiten |
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JAN1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Einzelheiten |