APTGTQ100H65T3G

POWER MODULE - IGBT
APTGTQ100H65T3G P1
APTGTQ100H65T3G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APTGTQ100H65T3G

Artikelnummer
APTGTQ100H65T3G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
POWER MODULE - IGBT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer APTGTQ100H65T3G
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100A
Leistung max 250W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket SP3F

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