APTC60DAM24CT1G

MOSFET N-CH 600V 95A SP4
APTC60DAM24CT1G P1
APTC60DAM24CT1G P1
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Microsemi Corporation ~ APTC60DAM24CT1G

Artikelnummer
APTC60DAM24CT1G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 95A SP4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer APTC60DAM24CT1G
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 95A
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14400pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 462W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 47.5A, 10V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SP4
Paket / Fall SP4

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