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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | APT75GT120JU2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Aufbau | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100A |
| Leistung max | 416W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 5.34nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | ISOTOP |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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APT75DF170HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1700V SOT-227 | - | 0 | Einzelheiten |
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APT75DL120HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1200V SOT-227 | - | 0 | Einzelheiten |
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APT75DL60HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 600V SOT-227 | 0 | Einzelheiten | |
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APT75DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 | - | 0 | Einzelheiten |
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APT75DQ120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 | - | 2948 | Einzelheiten |
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APT75DQ60BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 | - | 0 | Einzelheiten |
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APT75F50B2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 | - | 20 | Einzelheiten |
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APT75F50L | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 | - | 25 | Einzelheiten |
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APT75GN120B2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 200A 833W TMAX | - | 0 | Einzelheiten |
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APT75GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | 0 | Einzelheiten | |
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APT75GN120JDQ3 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | - | 66 | Einzelheiten |
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APT75GN120JDQ3G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | - | 0 | Einzelheiten |