1N6622US

DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
1N6622US P1
1N6622US P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ 1N6622US

Artikelnummer
1N6622US
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer 1N6622US
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 660V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 1.2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 1.2A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 30ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 500nA @ 660V
Kapazität @ Vr, F 10pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SQ-MELF, A
Lieferantengerätepaket A-MELF
Betriebstemperatur - Kreuzung -65°C ~ 150°C

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