MT41K512M8DA-125:P TR

IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ
MT41K512M8DA-125:P TR P1
MT41K512M8DA-125:P TR P1
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Micron Technology Inc. ~ MT41K512M8DA-125:P TR

Artikelnummer
MT41K512M8DA-125:P TR
Hersteller
Micron Technology Inc.
Beschreibung
IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Produktparameter

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Artikelnummer MT41K512M8DA-125:P TR
Teilstatus Obsolete
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR3L
Speichergröße 4Gb (512M x 8)
Taktfrequenz 800MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 13.5ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart -
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket -

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