MMIX4G20N250

MOSFET N-CH
MMIX4G20N250 P1
MMIX4G20N250 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

IXYS ~ MMIX4G20N250

Artikelnummer
MMIX4G20N250
Hersteller
IXYS
Beschreibung
MOSFET N-CH
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
MMIX4G20N250.pdf MMIX4G20N250 PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Arrays
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Artikelnummer MMIX4G20N250
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 2500V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 23A
Leistung max 100W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 20A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 10µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce -
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 24-SMD Module, 9 Leads
Lieferantengerätepaket SMPD

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