MKI100-12F8

MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 125A E3
MKI100-12F8 P1
MKI100-12F8 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

IXYS ~ MKI100-12F8

Artikelnummer
MKI100-12F8
Hersteller
IXYS
Beschreibung
MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 125A E3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer MKI100-12F8
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT
Aufbau Full Bridge Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 125A
Leistung max 640W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1.3mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.5nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall E3
Lieferantengerätepaket E3

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