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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IXTY1R4N60P TRL |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.4A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 9 Ohm @ 700mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 25µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 50W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-252, (D-Pak) |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IXTY10P15T | IXYS | MOSFET P-CH 150V 10A TO-252 | 0 | Einzelheiten | |
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IXTY12N06T | IXYS | MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 | - | 0 | Einzelheiten |
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IXTY12N06TTRL | IXYS | MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 | - | 0 | Einzelheiten |
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IXTY15N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 15A TO-252 | - | 0 | Einzelheiten |
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IXTY15P15T | IXYS | MOSFET P-CH 150V 15A TO-252 | - | 0 | Einzelheiten |
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IXTY18P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 18A TO-252 | - | 0 | Einzelheiten |
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IXTY1N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252 | - | 0 | Einzelheiten |
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IXTY1N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252 | - | 0 | Einzelheiten |
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IXTY1N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA | - | 0 | Einzelheiten |
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IXTY1N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 1A TO-252 | 0 | Einzelheiten | |
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IXTY1R4N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252 | - | 0 | Einzelheiten |
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IXTY1R4N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252 | - | 0 | Einzelheiten |