IXTP200N055T2

MOSFET N-CH 55V 200A TO-220
IXTP200N055T2 P1
IXTP200N055T2 P1
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IXYS ~ IXTP200N055T2

Artikelnummer
IXTP200N055T2
Hersteller
IXYS
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 200A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IXTP200N055T2
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 55V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 200A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 109nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 360W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 50A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Fall TO-220-3

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