IXGN82N120C3H1

IGBT 1200V 58A GENX3 SOT-227B
IXGN82N120C3H1 P1
IXGN82N120C3H1 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

IXYS ~ IXGN82N120C3H1

Artikelnummer
IXGN82N120C3H1
Hersteller
IXYS
Beschreibung
IGBT 1200V 58A GENX3 SOT-227B
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXGN82N120C3H1.pdf IXGN82N120C3H1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer IXGN82N120C3H1
Teilstatus Active
IGBT-Typ PT
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 130A
Leistung max 595W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 82A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 7.9nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC
Lieferantengerätepaket SOT-227B

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