IXFT26N50Q TR

MOSFET N-CH TO268
IXFT26N50Q TR P1
IXFT26N50Q TR P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

IXYS ~ IXFT26N50Q TR

Artikelnummer
IXFT26N50Q TR
Hersteller
IXYS
Beschreibung
MOSFET N-CH TO268
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXFT26N50Q TR.pdf IXFT26N50Q TR PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer IXFT26N50Q TR
Teilstatus Last Time Buy
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 26A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3900pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 300W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 13A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268 (IXFT)
Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Verwandte Produkte

Alle Produkte