IXFR80N50Q3

MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
IXFR80N50Q3 P1
IXFR80N50Q3 P1
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IXYS ~ IXFR80N50Q3

Artikelnummer
IXFR80N50Q3
Hersteller
IXYS
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXFR80N50Q3.pdf IXFR80N50Q3 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IXFR80N50Q3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 8mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10000pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 570W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 72 mOhm @ 40A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™
Paket / Fall TO-247-3

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