IXFQ26N50P3

MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P
IXFQ26N50P3 P1
IXFQ26N50P3 P1
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IXYS ~ IXFQ26N50P3

Artikelnummer
IXFQ26N50P3
Hersteller
IXYS
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IXFQ26N50P3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 26A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2220pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 500W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 230 mOhm @ 13A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-3P
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3

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