IXFC10N80P

MOSFET N-CH 800V 5A ISOPLUS220
IXFC10N80P P1
IXFC10N80P P1
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IXYS ~ IXFC10N80P

Artikelnummer
IXFC10N80P
Hersteller
IXYS
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 5A ISOPLUS220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IXFC10N80P
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 800V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs -
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket ISOPLUS220™
Paket / Fall ISOPLUS220™

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