IRLR3636TRPBF

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
IRLR3636TRPBF P1
IRLR3636TRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRLR3636TRPBF

Artikelnummer
IRLR3636TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRLR3636TRPBF.pdf IRLR3636TRPBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRLR3636TRPBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3779pF @ 50V
Vgs (Max) ±16V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 143W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 6.8 mOhm @ 50A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D-Pak
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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