IRLMS1902TRPBF

MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
IRLMS1902TRPBF P1
IRLMS1902TRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRLMS1902TRPBF

Artikelnummer
IRLMS1902TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRLMS1902TRPBF.pdf IRLMS1902TRPBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRLMS1902TRPBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 2.7V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 15V
Vgs (Max) ±12V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.7W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Micro6™(TSOP-6)
Paket / Fall SOT-23-6

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