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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IRFL014NPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Not For New Designs |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 55V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.9A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 1.9A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223 |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IRFL014 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 | - | 0 | Einzelheiten |
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IRFL014NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223 | 0 | Einzelheiten | |
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IRFL014NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223 | 2500 | Einzelheiten | |
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IRFL014PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 | - | 0 | Einzelheiten |
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IRFL014TR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 | - | 0 | Einzelheiten |
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IRFL014TRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 | - | 4468 | Einzelheiten |
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IRFL024N | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 | 0 | Einzelheiten | |
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IRFL024NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 | 0 | Einzelheiten | |
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IRFL024NTR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 | 0 | Einzelheiten | |
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IRFL024NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 | 2500 | Einzelheiten | |
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IRFL024Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 | 0 | Einzelheiten | |
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IRFL024ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 | 0 | Einzelheiten |