IRFH8318TRPBF

MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN
IRFH8318TRPBF P1
IRFH8318TRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRFH8318TRPBF

Artikelnummer
IRFH8318TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRFH8318TRPBF.pdf IRFH8318TRPBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRFH8318TRPBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 27A (Ta), 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3180pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3.1 mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PQFN (5x6)
Paket / Fall 8-PowerTDFN

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