IRF9Z34NPBF

MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB
IRF9Z34NPBF P1
IRF9Z34NPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRF9Z34NPBF

Artikelnummer
IRF9Z34NPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRF9Z34NPBF.pdf IRF9Z34NPBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRF9Z34NPBF
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 55V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 68W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 10A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Fall TO-220-3

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