IRF9910PBF

MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
IRF9910PBF P1
IRF9910PBF P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ IRF9910PBF

Artikelnummer
IRF9910PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer IRF9910PBF
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10A, 12A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 10V
Leistung max 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO

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