IRF7807ZTRPBF

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
IRF7807ZTRPBF P1
IRF7807ZTRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRF7807ZTRPBF

Artikelnummer
IRF7807ZTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRF7807ZTRPBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 11A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.5W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 13.8 mOhm @ 11A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SO
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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