IRF6619

MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
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Infineon Technologies ~ IRF6619

Artikelnummer
IRF6619
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRF6619
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 30A (Ta), 150A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.45V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5040pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2.2 mOhm @ 30A, 10V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ MX
Paket / Fall DirectFET™ Isometric MX

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