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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IPD90P03P404ATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 253µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10300pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 137W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 90A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IPD90P03P404ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3 | - | 72500 | Einzelheiten |
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IPD90P03P4L04ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3 | - | 2500 | Einzelheiten |
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IPD90P04P405ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 | 0 | Einzelheiten | |
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IPD90P04P405AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPD90P04P4L04ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 | 7500 | Einzelheiten |