IPD90N04S405ATMA1

MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313
IPD90N04S405ATMA1 P1
IPD90N04S405ATMA1 P1
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Infineon Technologies ~ IPD90N04S405ATMA1

Artikelnummer
IPD90N04S405ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IPD90N04S405ATMA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 86A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 30µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2960pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 65W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5.2 mOhm @ 86A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-313
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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