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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IPD06P007NATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | - |
| Technologie | - |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | - |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Paket / Fall | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | 0 | Einzelheiten | |
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IPD060N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | 0 | Einzelheiten | |
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IPD068N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 90A | 0 | Einzelheiten | |
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IPD068N10N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPD068P03L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 | 0 | Einzelheiten | |
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IPD068P03L3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 | 0 | Einzelheiten | |
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IPD06N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK | 0 | Einzelheiten | |
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IPD06N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-252 | 0 | Einzelheiten | |
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IPD06P002NATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 40-100V | - | 71130 | Einzelheiten |
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IPD06P003NATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 40-100V | - | 95290 | Einzelheiten |
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IPD06P004NATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 40-100V | - | 119126 | Einzelheiten |
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IPD06P005LATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 40-100V | - | 176915 | Einzelheiten |