F1235R12KT4GBOSA1

IGBT F1235R12KT4GBOSA1
F1235R12KT4GBOSA1 P1
F1235R12KT4GBOSA1 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ F1235R12KT4GBOSA1

Artikelnummer
F1235R12KT4GBOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT F1235R12KT4GBOSA1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer F1235R12KT4GBOSA1
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 35A
Leistung max 210W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 35A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module

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