DDB6U75N16W1RB11BOMA1

DIODE MOD CHOPPER-IGBT 1600V 60A
DDB6U75N16W1RB11BOMA1 P1
DDB6U75N16W1RB11BOMA1 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ DDB6U75N16W1RB11BOMA1

Artikelnummer
DDB6U75N16W1RB11BOMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
DIODE MOD CHOPPER-IGBT 1600V 60A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Produktparameter

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Artikelnummer DDB6U75N16W1RB11BOMA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 69A
Leistung max 335W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 50A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.8nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module

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