BSM50GP60BOSA1

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5
BSM50GP60BOSA1 P1
BSM50GP60BOSA1 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ BSM50GP60BOSA1

Artikelnummer
BSM50GP60BOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer BSM50GP60BOSA1
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ -
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 70A
Leistung max 250W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.75V @ 15V, 25A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.1nF @ 25V
Eingang Three Phase Bridge Rectifier
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module

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