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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BSC130P03LS G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 22.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 150µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 73.1nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3670pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 22.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8 |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSC130P03LS G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8 | - | 5000 | Einzelheiten |
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BSC130P03LSGAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8 | - | 92112 | Einzelheiten |
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BSC13DN30NSFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 300V 8TDSON | - | 5000 | Einzelheiten |