Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | GSID150A120S3B1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | - |
| Aufbau | 2 Independent |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 300A |
| Leistung max | 940W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 150A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | D-3 Module |
| Lieferantengerätepaket | D3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GSID100A120S5C1 | Global Power Technologies Group | IGBT MODULE 1200V 170A | 7 | Einzelheiten | |
|
GSID100A120T2C1 | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | 0 | Einzelheiten | |
|
GSID100A120T2C1A | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | 0 | Einzelheiten | |
|
GSID100A120T2P2 | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | 0 | Einzelheiten | |
|
GSID150A120S3B1 | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | 0 | Einzelheiten | |
 |
GSID150A120S5C1 | Global Power Technologies Group | IGBT MODULE 1200V 285A | 6 | Einzelheiten | |
|
GSID150A120S6A4 | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | 0 | Einzelheiten | |
|
GSID150A120T2C1 | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | 0 | Einzelheiten |