GP2M010A060H

MOSFET N-CH 600V 10A TO220
GP2M010A060H P1
GP2M010A060H P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Global Power Technologies Group ~ GP2M010A060H

Artikelnummer
GP2M010A060H
Hersteller
Global Power Technologies Group
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer GP2M010A060H
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1660pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 198W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Fall TO-220-3

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