GD25S512MDBIGY

NOR FLASH
GD25S512MDBIGY P1
GD25S512MDBIGY P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited ~ GD25S512MDBIGY

Artikelnummer
GD25S512MDBIGY
Hersteller
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Beschreibung
NOR FLASH
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Artikelnummer GD25S512MDBIGY
Teilstatus Active
Speichertyp Non-Volatile
Speicherformat FLASH
Technologie FLASH - NOR
Speichergröße 512Mb (64M x 8)
Taktfrequenz 104MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 50µs, 2.4ms
Zugriffszeit -
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O
Spannungsversorgung 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 24-TBGA
Lieferantengerätepaket 24-TFBGA (6x8)

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