MBR400200CT

DIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWER
MBR400200CT P1
MBR400200CT P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

GeneSiC Semiconductor ~ MBR400200CT

Artikelnummer
MBR400200CT
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWER
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
MBR400200CT.pdf MBR400200CT PDF online browsing
Familie
Dioden - Gleichrichter - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer MBR400200CT
Teilstatus Active
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode
Dioden-Typ Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 200A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 920mV @ 200A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 3mA @ 200V
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Twin Tower
Lieferantengerätepaket Twin Tower

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