GB2X50MPS12-227

SIC DIODE 1200V 100A SOT-227
GB2X50MPS12-227 P1
GB2X50MPS12-227 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

GeneSiC Semiconductor ~ GB2X50MPS12-227

Artikelnummer
GB2X50MPS12-227
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
SIC DIODE 1200V 100A SOT-227
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Arrays
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Artikelnummer GB2X50MPS12-227
Teilstatus Active
Diodenkonfiguration 2 Independent
Dioden-Typ Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 93A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 50A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 40µA @ 1200V
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 175°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC
Lieferantengerätepaket SOT-227

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