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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | GB100XCP12-227 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | PT |
| Aufbau | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100A |
| Leistung max | - |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 100A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 8.55nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SOT-227-4 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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GB1000008 | Diodes Incorporated | CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K | - | 316635 | Einzelheiten |
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GB1000015 | Diodes Incorporated | CRYSTAL 10.0000MHZ 30PF TH | 2978 | Einzelheiten | |
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GB1000017 | Diodes Incorporated | CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K | - | 316635 | Einzelheiten |
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GB100XCP12-227 | GeneSiC Semiconductor | IGBT 1200V 100A SOT-227 | 27 | Einzelheiten |