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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | GA20JT12-247 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | - |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | - |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 282W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 20A |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AB |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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GA200-001PD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR TRANSDUCER 0.250-4.5V PCB | 0 | Einzelheiten | |
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GA200-005WD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR PRESS GAUGE 5" H2O 3SIP | 0 | Einzelheiten | |
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GA200-010WD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR PRESS DIFF 10" H2O 3SIP | 0 | Einzelheiten | |
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GA200-015WD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR PRESS GAUGE 15" H2O 3SIP | 0 | Einzelheiten | |
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GA201AE3 | Microsemi Corporation | SCR | - | 1337 | Einzelheiten |
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GA20JT12-247 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1.2KV 20A | 0 | Einzelheiten | |
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GA20JT12-263 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 45A | 263 | Einzelheiten | |
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GA20SICP12-247 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 45A TO247 | 0 | Einzelheiten | |
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GA20SICP12-263 | GeneSiC Semiconductor | SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV | 90 | Einzelheiten |