HGTP12N60A4D

IGBT 600V 54A 167W TO220AB
HGTP12N60A4D P1
HGTP12N60A4D P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Fairchild/ON Semiconductor ~ HGTP12N60A4D

Artikelnummer
HGTP12N60A4D
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 600V 54A 167W TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
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Artikelnummer HGTP12N60A4D
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 54A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 96A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A
Leistung max 167W
Energie wechseln 55µJ (on), 50µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 78nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 17ns/96ns
Testbedingung 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 30ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Lieferantengerätepaket TO-220AB

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