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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | HGT1S3N60A4DS9A |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 17A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 40A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 3A |
| Leistung max | 70W |
| Energie wechseln | 37µJ (on), 25µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 21nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 6ns/73ns |
| Testbedingung | 390V, 3A, 50 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 29ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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HGT1S10N120BNS | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB | - | 2400 | Einzelheiten |
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HGT1S10N120BNST | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB | - | 0 | Einzelheiten |
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HGT1S12N60A4DS | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 54A 167W D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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HGT1S12N60A4S9A | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 54A 167W TO263AB | 0 | Einzelheiten | |
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HGT1S14N36G3VLS | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 390V 18A 100W TO263AB | 0 | Einzelheiten | |
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HGT1S14N36G3VLT | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 390V 18A 100W TO262AA | 0 | Einzelheiten | |
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HGT1S20N35G3VLS | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 380V 20A 150W TO263AB | - | 0 | Einzelheiten |
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HGT1S20N36G3VL | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA | 0 | Einzelheiten | |
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HGT1S20N60A4S9A | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 70A 290W TO263AB | 0 | Einzelheiten | |
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HGT1S20N60C3S9A | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 45A 164W TO263AB | - | 0 | Einzelheiten |
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HGT1S2N120CN | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1200V 13A 104W I2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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HGT1S3N60A4DS9A | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 17A 70W D2PAK | 0 | Einzelheiten |