Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | FQD19N10TM_F080 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 15.6A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 780pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 7.8A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D-Pak |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQD19N10LTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK | - | 0 | Einzelheiten |
 |
FQD19N10LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK | - | 2500 | Einzelheiten |
 |
FQD19N10TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK | - | 0 | Einzelheiten |
 |
FQD19N10TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK | - | 80000 | Einzelheiten |
 |
FQD19N10TM_F080 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK | - | 0 | Einzelheiten |