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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | FDV303N |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 680mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.7V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 350mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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FDV045P20L | Fairchild/ON Semiconductor | PT8P 20V/8V SINGLE SOT-23 | - | 0 | Einzelheiten |
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FDV0530-H-2R2M=P3 | Murata Electronics North America | FIXED IND 2.2UH 6A 19.9MOHM SMD | - | 128633 | Einzelheiten |
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FDV0620-H-R47M=P3 | Murata Electronics North America | FIXED IND 470NF 9A 8.3MOHM SMD | - | 116539 | Einzelheiten |
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FDV10-250Q | 3M | FEMALE DISCONNECT VINYL INS | - | 0 | Einzelheiten |
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FDV14-187Q | 3M | FEMALE DISCONNECT VINYL INS | - | 0 | Einzelheiten |
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FDV14-250Q | 3M | FEMALE DISCONNECT VINYL INS | - | 0 | Einzelheiten |
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FDV18-187Q | 3M | FEMALE DISCONNECT VINYL INS | - | 0 | Einzelheiten |
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FDV18-250Q | 3M | FEMALE DISCONNECT VINYL INS | - | 0 | Einzelheiten |
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FDV301N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23 | 231000 | Einzelheiten | |
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FDV301N-NB9V005 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23 | - | 12078 | Einzelheiten |
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FDV301N_D87Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 0.22A SOT-23 | 0 | Einzelheiten | |
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FDV301N_NB9V005 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23 | 0 | Einzelheiten |