FDMS86252L

MOSFET N-CH 150V 8-MLP
FDMS86252L P1
FDMS86252L P2
FDMS86252L P1
FDMS86252L P2
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDMS86252L

Artikelnummer
FDMS86252L
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 8-MLP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer FDMS86252L
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 150V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1335pF @ 75V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 56 mOhm @ 4.4A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6), Power56
Paket / Fall 8-PowerTDFN

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