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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | FDMB2308PZ |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 P-Channel (Dual) Common Drain |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | - |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 5.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3030pF @ 10V |
| Leistung max | 800mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 6-MLP (2x3) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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FDMB2307NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 6-MLP | - | 15000 | Einzelheiten |
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FDMB2308PZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH MLP2X3 | - | 6000 | Einzelheiten |
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FDMB3800N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET | - | 15000 | Einzelheiten |
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FDMB3900AN | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP | - | 9000 | Einzelheiten |
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FDMB3900N | ON Semiconductor | INTEGRATED CIRCUIT | - | 21108 | Einzelheiten |
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FDMB506P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MICROFET | 0 | Einzelheiten | |
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FDMB668P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8 | 0 | Einzelheiten |